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Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices(Series in Optics and Optoelectronics) H 414 p. 01
Maiti, C.K,
Armstrong, G.A
著
発行年月 |
2001年07月 |
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出版国 |
アメリカ合衆国 |
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言語 |
英語 |
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媒体 |
冊子 |
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装丁 |
hardcover |
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ページ数／巻数 |
414 p. |
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ジャンル |
洋書／理工学／電気電子工学／電子デバイス・回路・システム |
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ISBN |
9780750307239 |
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商品コード |
0200118935 |
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本の性格 |
学術書 |
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商品URL
| https://kw.maruzen.co.jp/ims/itemDetail.html?itmCd=0200118935 |
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内容
Deals with the design and optimization of transistors made from strainedlayers. This book covers key technology issues for the growth of strainedlayers, background theory of the HBT, and how device simulation can be usedto predict the optimum HBT device structure for a particular application suchas cryogenics.
