内容

目次

第１章　緒論 　１・１半導体とは 　１・２半導体デバイスの歴史 第２章　半導体の基礎的性質 　２・１結晶構造 　２・２エネルギー帯構造 　２・３真性半導体と外因性半導体 　２・４キャリアの密度 　２・５キャリアの運動と電気伝導 　２・６キャリアの生成と再結合 　２・７連続の方程式 　演習問題〔２〕 第３章　ダイオードとバイポーラトランジスタ 　３・１pn接合 　３・２金属−半導体（ＭＳ）接合 　３・３異種の半導体による接合 　３・４バイポーラトランジスタ 　３・５シリコン制御整流器（ＳＣＲ） 　演習問題〔３〕 第４章　電界効果トランジスタ 　４・１電界効果トランジスタの基礎概念 　４・２接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ） 　４・３MOS形電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の基礎 　４・４MOSFETの特性 　演習問題〔４〕 第５章　集積回路 　５・１集積回路の基礎概念 　５・２バイポーラ集積回路 　５・３ＭＯＳ集積回路 　５・４メモリ集積回路 　演習問題〔５〕 第６章　光電素子（オプトエレクトロニックデバイス） 　６・１半導体の光吸収と発光 　６・２受光デバイス 　６・３太陽デバイス 　６・４太陽電池 　演習問題〔６〕 第７章　パワーデバイス 　７・１パワーデバイスの種類と用途 　７・２短絡エミック構造 　７・３ＧＴＯ（Ｇａｔｅ　Ｔｕｒｎ　Ｏｆｆ）サイリスタ 　７・４パワーバイポーラトランジスタ 　７・５パワーＭＯＳＦＥＴ 　７・６絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 　演習問題〔７〕 第８章　センサと関連デバイス 　８・１温度センサと熱電変換デバイス 　８・２磁気効果デバイス 　８・３歪効果デバイス 　８・４ガスセンサ，イオンセンサ 　演習問題〔８〕 第９章　各種半導体デバイス 　９・１マイクロ波デバイス 　９・２撮像・表示デバイス 　９・３その他のデバイス 　演習問題〔９〕 第１０章　半導体材料と素子製造技術 　１０・１半導体材料の高純度化 　１０・２半導体材料の単結晶化 　１０・３不純物および構造欠陥の制御技術 　１０・４微細加工技術 　１０・５集積化技術 　１０・６半導体材料の評価法 　演習問題〔１０〕 演習問題の解答 索引