内容

目次

第IV部　バイポーラ・トランジスタ（ＢＪＴ） 　第９章　バイポーラ・トランジスタの静的特性 　　９．１　はじめに 　　９．２　出力特性（定性的議論） 　　９．３　電流利得 　　９．４　理想的なＢＪＴのモデル 　　９．５　ＢＪＴにおける不純物濃度の勾配 　　９．６　基本的なEbers-Moll直流モデル 　　９．７　ＢＪＴにおける電流集中とベース抵抗 　　９．８　ベース幅の変調（Early効果） 　　９．９　なだれ破壊 　　９．10　高水準注入 　　９．11　ベース押し出し 　　９．12　エミッター―ベース接合における再結合 　　９．13　まとめ 　　９．14　付録の参考文献リストについて 　　９．15　第９章の参考文献 　　９．16　復習のポイント 　　９．17　練習問題　　 　第10章　ＢＪＴの時間依存特性の解析 　　10．１　はじめに 　　10．２　Ebers-Moll交流モデル 　　10．３　小信号等価回路 　　10．４　ＢＪＴにおける蓄積電荷容量 　　10．５　周波数高等 　　10．６　高周波トランジスタ　 　　10．７　ＢＪＴのスイッチ動作 　　10．８　ＢＪＴとＭＯＳＦＥＴとＢｉＭＯＳ 　　10．９　まとめ 　　10．10　付録の参考文献リストについて 　　10．11　第10章の参考文献 　　10．12　復習のポイント 　　10．13　練習問題 　補遺４：バイポーラ・デバイス 　　Ｓ４．１　はじめに 　　Ｓ４．２　ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ） 　　Ｓ４．３　Ｓｉ―ＢＪＴとＳｉＧｅベース，ＧａＡｓベースＨＢＴ 　　Ｓ４．４　サイリスタ（ｎｐｎｐ型スイッチ） 　　Ｓ４．５　シリコン制御整流器 　　Ｓ４．６　ＣＭＯＳ回路における寄生ｎｐｎｐスイッチ 　　Ｓ４．７　ＢＪＴへのＳＰＩＣＥの適用 　　Ｓ４．８　ＳＰＩＣＥのＢＪＴへの応用例 　　Ｓ４．９　まとめ 　　Ｓ４．10　補遺４の参考文献 　　Ｓ４．11　復習のポイント 　　Ｓ４．12　練習問題 第V部　光デバイス 　第11章　光エレクトロニクスデバイス 　　11．１　はじめに 　　11．２　光検出器（フォト・ダイオード） 　　11．３　発光ダイオード（ＬＥＤ） 　　11．４　レーザー・ダイオード 　　11．５　撮像素子（イメージ・センサー） 　　11．６　まとめ 　　11．７　付録の参考文献リストについて 　　11．８　第11章の参考文献 　　11．９　復習のポイント 　　11．10　練習問題 　付録Ａ　半導体デバイスの製造 　　Ａ．１　はじめに 　　Ａ．２　基盤の製造 　　Ａ．３　不純物添加 　　Ａ．４　リソグラフィ 　　Ａ．５　導電体と絶縁体 　　Ａ．６　クリーン・ルーム 　　Ａ．７　パッケージ 　　Ａ．８　まとめ 　付録Ｂ　状態密着と有効質量 　　Ｂ．１　はじめに 　　Ｂ．２　１次元自由電子 　　Ｂ．３　２次元自由電子　 　　Ｂ．４　３次元自由電子 　　Ｂ．５　周期的な結晶現場における疑似自由電子 　　Ｂ．６　状態密着度有効質量 　　Ｂ．７　はじめに 　　Ｂ．８　有効質量のまとめ 　付録Ｃ　定数・単位・元素表 　付録Ｄ　記号一覧・ギリシャ文字 　付録Ｅ　微分公式 　付録Ｆ　有用な式 　付録Ｇ　参考文献リスト