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【半導体デバイス:物理と技術 第3版】
Semiconductor Devices 3rd ed. International Student Version P 592 p. 12
Sze, Simon M.,
Lee, Ming–Kwei
著
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価格
\14,261(税込)
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発行年月 |
2012年08月 |
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出版国 |
アメリカ合衆国 |
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言語 |
英語 |
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媒体 |
冊子 |
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装丁 |
paper |
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ページ数/巻数 |
592 p. |
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ジャンル |
洋書/理工学/電気電子工学/電子デバイス・回路・システム |
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ISBN |
9780470873670 |
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商品コード |
0201413951 |
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本の性格 |
テキスト |
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新刊案内掲載月 |
2011年01月 |
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商品URL
| https://kw.maruzen.co.jp/ims/itemDetail.html?itmCd=0201413951 |
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内容
『半導体デバイス』待望の新版が、集積回路製造における研究やデバイス物理学の進展等を反映して、50%以上加筆修正されて刊行されます。
半導体デバイスの物理的原理と製造技術の進歩について基礎的な解説はそのままに、第3版では学生向けに集積回路に重点を置いて、デバイスの特性評価や製造の段階毎に理論的かつ実践的な解説を掲載しました。内容は3章に分かれ、半導体材料―とりわけシリコン、ガリウムヒ素―の基礎特性などをカバーしています。また、バイポーラデバイス、ユニポーラデバイス、マイクロ波デバイス、光学デバイスの物理特性と特徴についても掲載しています。そして、結晶成長からリソグラフィのパターン転写まで、最新の処理技術について解説しています。
物理学、電子工学、材料科学を専攻する大学院生にはもちろん、デバイスの更新情報や技術の発達情報を必要としているけど専門ではない大学院生や研究者のためのレファレンスとしてもご活用いただけます。