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内容

目次

第1章　半導体プロセスの基本を理解する 1-1 ひとつかみで見る半導体プロセス 1-2 前工程と後工程の違いとは 1-3 循環型の前工程半導体プロセス 1-4 フロントエンドとバックエンド 1-5 シリコンウェーハとは 1-6 シリコンウェーハはどのように作られるか 1-7 シリコンの性質とは？ 1-8 シリコンウェーハに求められる清浄度 1-9 半導体ファブでどのように使用されるか 1-10 大口径化が進むシリコンウェーハ 1-11 製品化につながる後工程 1-12 後工程で使用されるプロセスとは 第2章　前工程のプロセスフロー 2-1 微細化を追求する前工程プロセス 2-2 一括でチップを作製する前工程 2-3 “待った”のないプロセスで必要な検査・モニタリング 2-4 多層配線プロセスの依存する先端ロジック 2-5 前工程のファブとは 2-6 ファブのライン構成、ベイ方式とは 2-7 ファブでは歩留まりの早期立ち上げが必要 第3章　洗浄・乾燥ウェットプロセス 3-1 常に清浄面を保つ洗浄プロセス 3-2 洗浄の手法・メカニズム 3-3 洗浄の基本といえばRCA洗浄 3-4 新しい洗浄方法 3-5 バッチ方式と枚葉式との違い 3-6 スループットが重要な洗浄プロセス 3-7 洗浄後に欠かせない乾燥プロセス 3-8 新しい乾燥プロセス 3-9 ウェットプロセスとドライ洗浄 第4章　イオン注入・熱処理プロセス 4-1 不純物を打ち込むイオン注入技術 4-2 高真空が必要なイオン注入プロセス 4-3 目的で使い分けるイオン注入プロセス 4-4 イオン注入後の結晶回復熱処理とは 4-5 色々な熱処理プロセス 4-6 最新のレーザアニールプロセス 4-7 LSI製造とサーマルバジェット 第5章　リソグラフィープロセス 5-1 下絵を描くリソグラフィープロセス 5-2 リソグラフィープロセスは写真が基本 5-3 微細化を発展させた露光技術の発展 5-4 マスクとペリクル 5-5 印画紙にあたる感光性レジスト 5-6 感光性樹脂を塗布するコータ 5-7 露光後に必要な現像プロセス 5-8 不要なレジストを除去するアッシングプロセス 5-9 液浸露光技術の現状 5-10 ダブルパターニングとは 5-11 更に微細化を追求するEUV技術 第6章　エッチングプロセス 6-1 エッチングプロセスフローと寸法変換差 6-2 色々な手法があるエッチングプロセス 6-3 エッチングプロセスに欠かせないプラズマとは？ 6-4 RF（高周波）印加方式による違いとは？ 6-5 異方性のメカニズム 6-6 ドライエッチングプロセスの現状 第7章　成膜プロセス 7-1 LSIの機能に欠かせない成膜プロセス 7-2 色々な手法がある成膜プロセス 7-3 下地形状に影響する成膜プロセス 7-4 ウェーハを直接酸化する酸化プロセス 7-5 熱CVDとプラズマCVD 7-6 金属膜に必要なスパッタリング 7-7 Cu（銅）配線に欠かせないメッキプロセス 7-8 low-k（低誘電率膜）にも使用する塗布プロセス 7-9 high-kゲートスタックプロセスの現状 7-10 Cu/low-kプロセスの現状 第8章　平坦化（CMP）プロセス 8-1 多層配線に欠かせないCMPプロセス 8-2 先端リソグラフィーを生かすCMPプロセス 8-3 ウェットプロセス回帰のCMPプロセス 8-4 消耗部材の多いCMPプロセス 8-5 CMPの平坦化メカニズム 8-6 Cu/low-kに応用するCMPプロセス 8-7 課題も山積のCMP装置・プロセス 第9章　後工程のプロセスフロー 9-1 良品を選別するプロービング 9-2 ウェーハを薄くするバックグラインド 9-3 チップに切り出すダイシング 9-4 チップを貼り付けるダイボンディング 9-5 電気的につなぐワイヤボンディング 9-6 チップを収納するモールディング 9-7 製品のためのマーキング・リードフォーミング 9-8 最終の検査工程 第10章　後工程の最新技術 10-1 ワイヤなしで接続するワイヤレスボンディング 10-2 リードフレーム不要のBGA 10-3 多機能化を目指すSiP 10-4 リアルチップサイズのウェーハレベルパッケージ 第11章半導体プロセスの今後の動向　 11-1 ロードマップと“オフ”ロードマップ 11-2 岐路に立つ半導体プロセスの微細化 11-3 モア・ムーアを実現する最新NGL動向 11-4 EUV技術動向（トップダウン） 11-5 Alternative Lithographyの動向（ボトムアップ） 11-6 ウェーハの450mm化の動向 11-7 今後の半導体ファブ 11-8 チップを貫通するTSV（スルー・シリコン・ビア） 11-9 微細化に挑戦の三次元実装