内容

目次

1　薄膜の製作法と膜厚測定法 　1.1　真空蒸着法 　1.2　スパッタリング法 　1.3　気相成長法 　1.4　膜厚の測定法 　文献 2　薄膜の形成と構造 　2.1　薄膜の形成過程と構造の観察 　2.2　核生成の現象論的モデル(VWBDの理論） 　2.3　核生成の原子論的モデル1（Waltonの理論） 　2.4　薄膜形成の確率過程的モデル（Zinsmeisterの理論） 　2.5　核生成の原子論的モデル2（Lewis-Campbellの理論） 　2.6　エピタクシー 　2.7　核成長のモデル 　2.8　薄膜中の構造欠陥 　文献 3　力学的性質 　3.1　弾性的性質 　3.2　付着 　3.3　内部適応（internal stress） 　3.4　引張り特性（tensile properties） 　文献 4　薄膜の電気的性質 　4.1　不連続薄膜 　4.2　連続薄膜 　文献 5　光学的性質 　5.1　基礎となる公式 　5.2　薄膜の光学定数の測定法 　5.3　光学的性質の測定結果 　5.4　金属薄膜における光プラズマ共鳴 　5.5　特殊な薄膜 　文献 6　半導体薄膜の特質と特性測定 　6.1　半導体の各種特性長と薄膜の特性 　6.2　単結晶薄膜と非晶質薄膜 　6.3　半導体薄膜の特性測定法 　文献 7　薄膜の磁気的性質 　7.1　自発磁化（spontaneous magnetization） 　7.2　薄膜の磁気異方性 　7.3　薄膜の磁区と磁壁 　7.4　薄膜の磁化過程（magnetization process） 　7.5　磁気共鳴（magnetic resonance） 　文献 8　超伝導薄膜 　8.1　超伝導体の一般的性質と薄膜化の効果 　8.2　超伝導接合とその応用 　8.3　高臨界温度を有する超伝導体の研究 　文献