中山　正敏（著者）：九州大学名誉教授、理学博士。1936年 福岡県に生まれる。東京大学理学部卒業、東京大学大学院数物系研究科博士課程修了。東京大学助手、九州大学助教授、米国ブラウン大学客員教授、九州大学教授、放送大学教授などを歴任。
塚田　捷（著者）：東京大学名誉教授、理学博士。1943年 中国上海に生まれる。東京大学大学院理系研究科博士課程修了。東京大学助手・助教授・教授、早稲田大学客員教授などを歴任。
名取　研二（著者）：筑波大学名誉教授、理学博士。1945年 山梨県に生まれる。東京大学大学院物理学研究科博士課程修了。東芝ULSI研究所研究部長、筑波大学助教授・教授、東京工業大学特任教授などを歴任。応用物理学会フェロー。
名取　晃子（著者）：電気通信大学名誉教授、理学博士。東京大学理学部卒業、東京大学大学院理学系研究科修了。電気通信大学講師・助教授・教授などを歴任。
齋藤　理一郎（著者）：東北大学名誉教授、理学博士。1958年 生まれ。東京大学理学部卒業、東京大学大学院理学系研究科修了。東京大学助手、電気通信大学助教授、東北大学教授などを歴任。
福山　秀敏（著者）：東京大学名誉教授、理学博士。東京大学理学部卒業、東京大学大学院理学系研究科修了。東北大学助手・助教授、東京大学教授、東北大学教授、東京理科大学教授などを歴任。日本物理学会名誉会員、平成28年度 文化功労者。

　半導体をテーマとする多くの教科書では十分に扱われることの少ない、半導体の「物理」の基礎をていねいに記述し、さらに、半導体物理の研究の最前線までを紹介することを目的とした本格的な書。

『「半導体とは何か？」について学習するなかで，現代物理学の基本とその基礎の上に成立する半導体デバイスの本質に触れ，半導体の科学と技術のさらなる飛躍への意欲を抱いていただけるとしたら，著者一同のこの上ない幸せである．』 （本書「まえがき」より）