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丸善のおすすめ度
次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎～Siから新材料への新展開～(設計技術シリーズ)
田中 保宣
著
発行年月 |
2021年01月 |
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言語 |
日本語 |
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媒体 |
冊子 |
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ページ数／巻数 |
10p,279p |
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大きさ |
21cm |
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ジャンル |
和書／理工学／電気・電子工学／電気機器 |
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ISBN |
9784904774953 |
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商品コード |
1032740247 |
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NDC分類 |
549.8 |
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本の性格 |
実務向け |
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新刊案内掲載月 |
2021年03月2週 |
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商品URL
| https://kw.maruzen.co.jp/ims/itemDetail.html?itmCd=1032740247 |
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内容
本書は、ワイドバンドギャップ 半導体による次世代パワーデバイスに加え、性能限界が叫ばれる中でも更なる性能向上を進めているSi パワーデバイスの研究開発の最前線について、各分野の代表的な研究者を著者に迎え編集したものです。
炭化ケイ素(SiC) に代表されるワイドバンドギャップ半導体は、Si と比較して高い絶縁破壊耐性、熱伝導率など、パワー半導体材料として要求される優れた物性を有しているため、Si パワーデバイスに置き換わる次世代パワー半導体材料として期待されています。2020 年現在、既に実用化の適用範囲を広げつつあるSiC パワーデバイスや、活発に研究開発が行われている窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウム(Ga2O3)、更にはダイヤモンドなど、SiCに続く半導体材料・デバイスについて解説しています。
