内容

目次

1．緒論 1.1　デバイスとは 1.2　固体材料の分類と半導体 　談話室　物理学者の電子物性とエンジニアの電子物性 1.3　半導体の性質 　1.3.1　半導体の原子の並び方 　1.3.2　真性半導体と不純物半導体 　1.3.3　真性半導体のなりたち 　1.3.4　エネルギーバンドの形成 　1.3.5　真性半導体の性質 　1.3.6　エネルギーバンド図 　談話室　2種類のエネルギーバンド図 　1.3.7　n型半導体とp型半導体 　談話室　半導体への不純物添加 1.4　地球上に最も数多く存在する人工物は？ 本章のまとめ 理解度の確認 2．回路理論からみた半導体デバイス 2.1　線形回路素子 　2.1.1　線形抵抗器 　2.1.2　線形キャパシタ 　2.1.3　線形インダクタ 2.2　非線形回路素子 　2.2.1　非線形抵抗器 　2.2.2　非線形キャパシタと非線形インダクタ 　談話室　抵抗器，キャパシタ，インダクタ以外の二端子素子 2.3　時不変回路素子と時変回路素子 2.4　多端子素子と制御電源 2.5　トランジスタ 　談話室　回路素子分類の切り口 2.6　半導体デバイスの位置付け 　談話室　半導体製の線形回路素子 本章のまとめ 理解度の確認 3．周期構造と波 3.1　物理とアナロジー 　3.1.1　物理で現れる問題の構造の共通性 　3.1.2　本章の見取り図 　談話室　回路網的直観 3.2　周期的回路網の性質 　3.2.1　無限はしご形回路網 　3.2.2　無限LCはしご 　3.2.3　無損失伝送線路 　談話室　伝送線路理論の前提 　3.2.4　繰返し回数が有限の周期構造 　談話室　桁違いの難問 　談話室　電気工学者の虚数単位と物理学者の虚数単位 　3.2.5　分散関係と位相速度，群速度 　談話室　集中定数回路と分布定数回路，有限と無限 3.3　半導体の分散関係と物性 　談話室　量子論に対する古典アナロジーの限界 3.4　ブラッグ反射 本章のまとめ 理解度の確認 4．平衡状態の半導体の物理 4.1　エネルギー帯の状態密度と分布関数 4.2　キャリア密度 　4.2.1　電子密度 　4.2.2　ホール密度 　4.2.3　非縮退半導体のpn積 　4.2.4　絶縁体との関係 　4.2.5　真性半導体のフェルミ準位 　4.2.6　niで表したキャリア密度 4.3　不純物半導体のフェルミ準位 　4.3.1　非縮退不純物半導体 　4.3.2　縮退半導体 　談話室　キャリア密度とフェルミ準位のニワトリと卵 4.4　フェルミ準位と化学ポテンシャル 　4.4.1　化学ポテンシャルの性質 　4.4.2　粒子に外力が働いている場合の化学ポテンシャル 本章のまとめ 理解度の確認 5．電気伝導 5.1　平衡・非平衡，定常・非定常 5.2　擬フェルミ準位とキャリア密度 　5.2.1　擬化学ポテンシャル 　5.2.2　電子とホールの擬フェルミ準位 　5.2.3　非平衡状態のキャリア密度 　5.2.4　キャリア密度の変数変換とバンド図 　談話室　エネルギーバンド図を読もう 　5.2.5　非縮退半導体のキャリア密度の式の一般形 5.3　擬フェルミ準位と電流密度 　5.3.1　流束密度と電流密度 　5.3.2　擬フェルミ準位の勾配と電流密度 　5.3.3　ドリフトと拡散 5.4　電界による電気伝導 　5.4.1　キャリアのドリフト 　談話室　ホール（正孔）の動きを説明するたとえ話 　5.4.2　移動度と導電率の関係 　談話室　「移動度」による記述の限界 5.5　キャリアの拡散による電気伝導 　5.5.1　拡散電流 　5.5.2　アインシュタインの関係 　談話室　地表の大気に対する「アインシュタインの関係」 5.6　生成・再結合と少数キャリアの寿命 　5.6.1　直接生成・再結合 　5.6.2　間接生成・再結合 　5.6.3　キャリアの生成・再結合レート 　5.6.4　少数キャリアの寿命 5.7　半導体の基本方程式 　談話室　デバイスシミュレータを使ってみる 5.8　誘電緩和 5.9　デバイ長 5.10　ホール（Hall）効果 　談話室　金属のキャリアの極性 本章のまとめ 理解度の確認 6．pn接合 6.1　pn接合とは？ 6.2　接触電位差 　6.2.1　接触電位差とは 　6.2.2　接触電位差と仕事関数，電子親和力 　6.2.3　接触電位差の性質 6.3　pn接合の形成 　6.3.1　p型半導体とn型半導体の接触 　6.3.2　平衡状態のpn接合 　6.3.3　バイアスされたpn接合 6.4　整流作用の定性的説明 6.5　階段接合の解析 　6.5.1　ゼロバイアスの階段接合 　6.5.2　バイアスされた階段接合 6.6　pn接合の容量 　6.6.1　空乏容量 　6.6.2　拡散容量 6.7　片側階段接合 6.8　pn接合の電流・電圧特性 　6.8.1　電流・電圧特性の式 　6.8.2　電流・電圧特性の導出 　談話室　天才Shockley 　6.8.3　pn接合に関する補足説明 6.9　pn接合のエネルギーバンド図を読む 　6.9.1　バイアス電圧依存性 　6.9.2　少数キャリアの寿命依存性 　談話室　整流しないpn接合 本章のまとめ 理解度の確認 7．MOSトランジスタ 7.1　MOSFETの構造と基本特性 　7.1.1　MOSFETの構造 　7.1.2　MOSFETの基本特性 　7.1.3　MOSFETの解析の順序 7.2　MOSキャパシタ 　7.2.1　MOSキャパシタの構造 　7.2.2　MOSキャパシタの解析 　7.2.3　MOSキャパシタの表面状態の分類 　7.2.4　基板表面の電子密度と表面ポテンシャル 　7.2.5　ゲート電圧と反転電荷の関係 　7.2.6　ゲート電圧と表面ポテンシャルの関係 　談話室　金属・半導体接合 7.3　三端子MOS構造 　7.3.1　バックゲートを基準とした解析 　7.3.2　チャネル端子を基準とした解析 　談話室　MOSキャパシタのC-V特性 7.4　四端子MOSFET 　7.4.1　バックゲート基準の場合 　7.4.2　ソース基準の場合 7.5　スケーリングと短チャネルMOSFET 　7.5.1　MOSFETのスケーリング 　7.5.2　短チャネルMOSFETで顕在化する現象 　談話室　スケーリング則を考える 本章のまとめ 理解度の確認 付録 1．2ポートの行列表現 　1.1　ABCD行列 　1.2　S行列 2．行列式の値が1の行列のN乗 引用・参考文献 理解度の確認；解説 あとがき 索引