内容

目次

1.　電磁界の発生メカニズム 1.1　交流電磁界 　1.1.1　放射電磁界と近傍電磁界 　1.1.2　波動インピーダンス 　1.1.3　電気回路における電気双極子と磁気双極子 1.2　放射電磁波の伝搬 2.　近傍電磁界による電磁障害 2.1　配線のインダクタンス 　2.1.1　自己インダクタンス 　2.1.2　相互インダクタンス 2.2　電磁障害（EMI）の低減法 　2.2.1　プリント基板の活用 　2.2.2　電流ループ面積の削減 　2.2.3　ホットループ面積の削減 　2.2.4　入力コンデンサの対称配置による磁界の相殺 2.3　スイッチング素子のインダクタンス低減法 2.4　コモンモード電流によるEMI 2.5　配線間のクロストーク 　2.5.1　配線間のクロストーク（ノイズ伝搬） 　2.5.2　クロストーク（誘導伝搬）の低減法 3.　放射電磁界の遮へい 3.1　放射電磁波の金属表面での反射と透過 3.2　電磁波の金属中での減衰 3.3　金属板による近傍電磁界の遮へい効果 　3.3.1　電気双極子起因の近傍電磁界の遮へい 　3.3.2　磁気双極子起因の近傍電磁界の遮へい 4.　伝導性ノイズの低減法 4.1　電源ラインフィルタ 　4.1.1　チョッピング波形に含まれる高調波 　4.1.2　電源ラインフィルタの構成 　4.1.3　コモンモードノイズの透過率 　4.1.4　ノーマルモードノイズの透過率 4.2　電源分配回路網 4.3　プリント基板レイアウトの基本 　4.3.1　スイッチング電流経路の特定とGND配線 　4.3.2　コンバータのレイアウト 　4.3.3　パワー段のレイアウト 　4.3.4　制御ICの配置 　4.3.5　パワーGNDとアナログGND 5.　分布定数回路 5.1　特性インピーダンスと反射係数 5.2　伝送線路を伝わる電圧・電流の速度 5.3　伝送線路のインピーダンス 　5.3.1　終端短絡時の入力インピーダンス 　5.3.2　終端開放時の入力インピーダンス 　5.3.3　定在波の発生 6.　スイッチング電源回路における電力損失 6.1　ダイナミック電力損失 　6.1.1　パワーMOS素子のオン・オフ動作特性 　6.1.2　ドレイン電流変動時間 　6.1.3　ドレイン電圧変動時間 　6.1.4　パワーMOS素子のダイナミック電力損失 　6.1.5　ゲート駆動回路の電力損失 　6.1.6　ドレイン容量の充放電による電力損失 　6.1.7　ダイオードの逆回復時の電力損失 6.2　定常（スタティック）電力損失 　6.2.1　パワーMOS素子のオン抵抗損失 　6.2.2　ダイオードの電力損失 7.　スナバ回路 7.1　RCスナバ 　7.1.1　寄生素子パラメータの抽出 　7.1.2　スナバの抵抗とキャパシタの適正値 7.2　充放電型RCDスナバ 7.3　放電阻止型RCDスナバ 8.　非絶縁型コンバータの電力損失の低減法 8.1　パワーMOS素子の電力損失 　8.1.1　ターンオフ時の電力損失 　8.1.2　ターンオン時の電力損失 8.2　同期整流方式 　8.2.1　デッドタイムの設定 　8.2.2　SRパワーMOS素子のダイナミック消費電力 　8.2.3　ブートストラップ回路 　8.2.4　ハイサイドのパワーMOS素子のターンオフ過程 　8.2.5　パワーMOS素子のゲート抵抗 　8.2.6　SRパワーMOS素子の条件 　8.2.7　逆方向電流の防止 9.　絶縁型コンバータ 9.1　フライバックコンバータの基本動作 　9.1.1　漏えいインダクタンスの影響 　9.1.2　RCDクランプ 　9.1.3　RCDクランプの電力消費 　9.1.4　ダイオードのRCスナバ 　9.1.5　同期整流方式のフライバックコンバータ 9.2　フォワードコンバータ 　9.2.1　動作原理 　9.2.2　コアリセットの方法 10.　入力フィルタ 10.1　入力フィルタ付きコンバータの伝達関数 　10.1.1　理想的なコンバータの入力インピーダンス 　10.1.2　入力フィルタのインピーダンス 10.2　現実のコンバータの入力インピーダンス 10.3　ダンパ付き入力フィルタ 11.　コンバータ特性に影響する部分回路 11.1　ポストLCフィルタ 11.2　シャントレギュレータTL431 11.3　フォトカプラ 付録 　ベクトルポテンシャルによる磁界分布の計算 参考文献 索引