半導体デバイスの基礎<中> ダイオードと電界効果トランジスタ
シュプリンガー・ジャパン株式会社
編
樺沢 宇紀
翻訳
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在庫状況
お取り寄せ
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お届け予定日
10日間
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価格
\5,280(税込)
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発行年月 |
2008年05月 |
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言語 |
日本語 |
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媒体 |
冊子 |
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ページ数/巻数 |
9p,p300〜689 |
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大きさ |
21cm |
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ジャンル |
和書/理工学/電気・電子工学/電気機器 |
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ISBN |
9784621061565 |
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商品コード |
1009048341 |
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NDC分類 |
549.8 |
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基本件名 |
半導体 |
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商品URL | https://kw.maruzen.co.jp/ims/itemDetail.html?itmCd=1009048341 |
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内容
半導体デバイスの動作原理と特性を学ぶための実用的・総合的な教科書。一般の理工系学生を読者として想定し、特別な予備知識を前提とせずに徹底的に平易なデバイス物理の解説を行う。中巻では前半にダイオードの動作原理と動作特性について、誘電緩和過程の検討なども含めた十全な説明を与える。後半では代表的な3端子素子である電界効果トランジスタ(FET)の動作を、基礎的な長チャネルモデルから説き起こして現実的な微細素子の特性に至るまで論じる。CMOS回路やメモリー(記憶装置)への応用も簡単に紹介。